一种基于动态参考的非挥发存储器读取电路，它由负载电路PR0与PR1，动态参考单元，NMOS钳位晶体管NC0与NC1，位线选择开关MUX和电压比较放大器VC组成；NMOS钳位晶体管的源极经位线选择开关MUX连接待读取的非挥发存储器数据单元与动态参考单元，NMOS钳位晶体管的栅极由VG_clamp信号进行控制，其漏极连接负载晶体管的漏极，负载晶体管源极接电压源Vdd，栅极由VG_load信号进行控制，数据单元与动态参考单元支路在负载晶体管源极处读取电压，并接入电压比较放大器两个输入端，同时Vdata还连接动态参考单元两个晶体管的栅极，用于控制动态参考单元的电阻。本发明解决了非挥发存储器的参数偏差问题，提高读取判决裕量，从而提高其可靠性。