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专利名称一种混合存储单元的读取电路结构
申请日2014-07-17
申请号/专利号CN201410340515.6
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人张德明;赵巍胜
公告日2018-01-19
公告号CN104134461B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

一种混合存储单元的读取电路结构,它由一个反相器和一个感知放大器及一个非易失性存储单元共同组成,反相器的输入端连接混合存储单元中选择晶体管的漏极,即连接点X;感知放大器的两个输入端一个接参考电压信号,另一个也接到混合存储单元中选择晶体管的漏极,即连接点X;该反相器由一个P型和一个N型晶体管构成,其功能是产生一个与输入信号相反的逻辑信号;该感知放大器为传统的电压比较放大器,其功能是通过放大比较两个输入电压信号输出相应的逻辑值;该非易失性存储单元由选择晶体管和混合存储单元HMC串联构成。本发明可快速、准确地读取HMC的工作模式及其在高速计算模式下的逻辑值。
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