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专利名称一种信息传感及存储器件及其制备方法
申请日2014-07-17
申请号/专利号CN201410341478.0
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人张雨;赵巍胜;王梦醒;郭玮;张有光
公告日2017-01-11
公告号CN104134748B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

一种信息传感及存储器件,它为双磁隧道结结构,由下至上依次为底电极、磁隧道结1、非铁磁性金属隔离层、磁隧道结2及顶电极,金属导线位于器件一侧;一种信息传感及存储器件的制备方法,它有五大步骤:步骤一,在衬底上沉积磁性多层膜材料;步骤二,通过超高磁场真空退火设备进行退火,使参考层的磁化方向固定;步骤三,使用光刻、刻蚀及磁控溅射传统纳米器件加工工艺完成双磁隧道结结构的形态制备;步骤四,在双磁隧道结结构外侧沉积绝缘层,通过光刻、刻蚀及镶嵌等工艺在双磁隧道结结构附近配置金属导线;步骤五,利用光刻、刻蚀及镶嵌加工工艺在双磁隧道结结构顶部形成金属电极,用于后的集成或测试。
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