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专利名称一种低应力声光器件及其制备方法
申请日2019-11-21
申请号/专利号CN201911150024.4
专利权人中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请人中国电子科技集团公司第二十六研究所
发明人/设计人曹家强;吴中超;王晓新;刘保见;吴畏;陈虹羽
公告日2020-02-28
公告号CN110850609A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及声光器件,具体涉及一种低应力声光器件及其制备方法,包括:压电晶片和声光晶体,声光晶体上表面从下往上依次镀制有Cr、Au金属膜层,压电晶片下表面从上往下依次镀制有Cr、Au金属膜层,声光晶体的Au膜层和压电晶片的Au膜层键合在一起形成Cr、Au、Cr三层金属膜键合层结构。本发明的低应力声光器件采用压电晶片先研磨后键合工艺代替传统的压电晶片先键合后研磨工艺,避免了Au‑Au键合残余应力导致的压电晶片研磨开裂现象;本发明改进了Au膜层的制备工艺,Au膜层的应力明显降低,声光晶体和压电晶片键合后声光晶体没有开裂现象。
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