本发明涉及光电器件领域，具体涉及一种端面耦合器，包括SOI衬底，包括硅衬底以及设置于硅衬底上的埋氧层；氧化硅层，设置在埋氧层与硅衬底相对的一侧；第一波导，其位于端面耦合器的拟耦合波传入的一侧，用于将拟耦合波限定在预定大小的模场内；硅基光波导，位于端面耦合器拟耦合波传出的一侧；以及，第二波导，其用于将被第一波导限定在预定模场内的拟耦合波耦合至硅基光波导内；其中，第一波导、第二波导和硅基光波导均位于氧化硅层内部。本发明提供的端面耦合器具有与光纤耦合效率高、带宽大、工艺难度及成本较低的优点。