本发明公开了一种基于超表面阵列结构的集成电路光刻掩模制备方法，该超表面阵列结构包括基底、金属纳米砖阵列和PMMA涂层，金属纳米砖阵列设置在基底上，PMMA涂层覆盖在金属纳米砖阵列上；整个超表面结构为其工作波长起到起偏器的功能，入射线偏光偏振方向沿着金属纳米砖短轴方向时，透过率高，入射线偏光偏振方向沿着金属纳米砖长轴方向时，透过率低。在固定入射线偏光偏振方向时，改变金属纳米砖的转角，实现光刻信息的编写，且根据马吕斯定律，实现了二值光刻掩模信息的复用。本发明解决了现有光刻技术中加工难度大，加工成本高等难题。