本发明提出一种对COMS工艺中硅基光波导耦合端进行的缓冲保护方法，包括：步骤一、确定被保护硅片的被保护面，所述被保护面上形成有硅基光波导耦合端，并将被保护硅片通过光刻胶固定于衬底硅片上；步骤二、将阻挡硅片通过光刻胶固定于所述衬底硅片上，且使所述阻挡硅片靠近所述被保护硅片的被保护面设置，并在所述被保护面和阻挡硅片之间形成保护缝隙；步骤三、将光刻胶溶液从所述保护缝隙的侧部和/或顶部渗入至所述保护缝隙内，在所述被保护面上形成缓冲包覆层；步骤四、对步骤三形成的缓冲包覆层进行加热固化，固化后在所述被保护面上形成缓冲保护层。本发明有效防止了COMS加工中可能发生的光波导耦合端被污染、包裹或伤害的风险，工艺兼容性强。