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专利名称一种超表面阵列结构及其在图像显示复用中的应用
申请日2019-06-27
申请号/专利号CN201910567465.8
专利权人武汉大学
申请人武汉大学
发明人/设计人李子乐;周楠;邓娟;李嘉鑫;梁聪玲;任仁远;郑国兴
公告日2019-10-25
公告号CN110376672A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明属于微纳光学技术领域,公开了一种超表面阵列结构及其在图像显示复用中的应用,超表面阵列结构包括基底、纳米砖阵列;入射线偏光的偏振方向沿着纳米砖的长轴方向时反射率最高;沿着纳米砖的短轴方向时透射率最高。应用包括:在入射线偏光的偏振方向固定的情况下,将每个纳米砖作为一个像素点,通过调节每个纳米砖的转向角,使每个像素点显示不同的灰度,实现灰度图像的显示。此外,在纳米砖的转向角固定的情况下,通过调整入射线偏光的偏振方向,使纳米砖阵列显示不同的二值图像,实现二值图像的显示复用。本发明解决了现有技术中实现灰度图像显示以及复用的超表面调控难度高、纳米阵列结构复杂、难于加工的问题。
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