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专利名称PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列制造方法
申请日2019-06-27
申请号/专利号CN201910569068.4
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人张遒姝;彭倍;王松;楚孟奇
公告日2019-09-20
公告号CN110261939A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列制造方法,涉及微透镜阵列制造方法的技术领域。该方法包括:制造PDMS微透镜阵列;在所述PDMS微透镜阵列上旋涂PDMS基磁流变弹性体薄膜,获得PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列。该方法制造的PDMS基双层结构磁响应微透镜阵列成型于纯材料PDMS不仅光学透过率高,而且微结构成型质量好,而且,可以通过施加外磁场改变微透镜阵列的焦距,实现磁响应效应。
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