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专利名称一种分析导体电磁散射的稀疏化多层自适应交叉近似方法
申请日2014-05-26
申请号/专利号CN201410226141.5
专利权人南京航空航天大学
申请人南京航空航天大学
发明人/设计人陈新蕾;顾长青;李茁;牛臻弋
公告日2017-01-25
公告号CN103995935B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种分析导体电磁散射的稀疏化多层自适应交叉近似方法,首先利用快速自适应交叉采样技术对两组所包含的基函数进行采样,其次利用这些采样基函数将阻抗子矩阵近似表达成三个矩阵相乘,然后利用多层自适应交叉近似方法对两个外矩阵进行压缩,最后将阻抗子矩阵表达成多个稀疏矩阵相乘的形式。本发明极大地降低了传统矩量法的计算和存储复杂度,是一种低秩分解方法,具有广泛的适用性,对积分核的要求很少,不仅可以用于导体目标的电磁散射仿真,还可以用于介质目标、介质导体混合目标的散射仿真,以及电磁辐射问题、电磁兼容问题的高效仿真。该方法计算效率高内存消耗小,非常适合于电大目标的仿真。
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