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专利名称一种镨离子掺杂对铽镓石榴石磁光性能影响的分析方法
申请日2019-06-26
申请号/专利号CN201910563556.4
专利权人中国人民解放军火箭军工程大学
申请人中国人民解放军火箭军工程大学
发明人/设计人蔡伟;杨志勇;许友安;李敏;王振业
公告日2019-09-24
公告号CN110275293A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种在铽镓石榴石(TGG)中掺杂镨(Pr3+)离子后晶体磁光性能影响情况的分析方法。根据微扰理论解算久期方程,得到自旋‑轨道耦合、晶场、有效场及离子之间的超交换作用下Tb3+、Pr3+离子的能级位移及波函数;并进一步解算出Tb3+、Pr3+离子自基态4f至5d的跃迁电偶极矩、各能级上的分布概率及平均磁矩;最后获得了Pr:TGG晶体的维尔德常数和磁化率,以及维尔德常数与Pr3+离子掺杂量之间的关系。本发明通过计算分析证明,晶体的维尔德常数有了明显提升,维尔德常数与Pr3+离子含量成线性关系,且基本重合Pr:TGG的磁化率倒数与温度成线性关系,具有顺磁特性。
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