本发明公开一种10kW半导体激光器用高反膜及其制备方法，采用HfO2‑TiO2‑SiO2多材料膜系结构，分别利用TiO2‑SiO2膜层组合折射率差值大的特点，在较少的层数下满足高反射率的要求；HfO2‑SiO2材料具有高的抗激光损伤阈值的特点，在TiO2‑SiO2膜堆的最外部分叠加HfO2‑SiO2膜堆，对TiO2‑SiO2起到提高其抗激光损伤能力的半波保护作用，实现较少的膜层数，和高反射率要求，同时提高薄膜的抗激光损伤能力；采用离子束辅助沉积方法制备高反膜，以金属铪靶、金属钛靶及石英玻璃片为镀膜材料，以氧离子束轰击蒸发膜，得到氧化物膜层，并提高膜层致密性和稳定性。