本发明公开了一种金属纳米光栅及其纳米压印制备方法和显示装置。通过干法刻蚀工艺刻蚀压印胶光栅沟槽内的残胶，平整又耐刻蚀的硬掩膜层能够保证压印胶掩膜层中不同厚度的残胶被去除干净，同时对具有不同刻蚀选择比的胶掩膜与硬掩膜之间的多次转移操作，在硬掩膜层耐刻蚀条件下，实现对胶层更高的刻蚀速率，可以较大程度提高纳米光栅图形的图像精细程度，获得较大深宽比的纳米光栅图形结构。本发明可控性好，可重复性操作，尤其适用于制作半导体光栅器件、光子晶体等纳米图形结构。