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专利名称一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法
申请日2019-06-20
申请号/专利号CN201910536086.2
专利权人中国科学院光电技术研究所
申请人中国科学院光电技术研究所
发明人/设计人李志炜;邵俊铭;雷柏平;范斌;罗倩;高国涵;邓晓东;毛丹波;何一苇;蒋仁奎
公告日2019-08-30
公告号CN110187415A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法,解决了传统光学加工技术无法直接抛光新型柔性光学薄膜的问题。本发明提供的基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法,可以在不影响薄膜光学性能的情况下,快速高效地对柔性薄膜进行面形修正。本发明可以精确控制减薄区域与非减薄区域的界线,对准精度高,迭代次数少,减薄深度控制精度高,减薄掩蔽层制作方便,不会在光学件表面产生表面划痕或亚表面损伤,残余掩蔽层去除容易,工艺重复性好,无毒无害,也适用于传统无机刚性材料如二氧化硅、碳化硅等。
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