本发明属于全光信号处理技术领域，特别涉及一种基于氧化铟锡薄膜与硅纳米颗粒阵列复合结构的全光开关及其制备方法。本发明通过飞秒激光前向诱导技术在氧化铟锡薄膜上沉积硅纳米颗粒阵列，形成包括下层——二氧化硅基底、中层——氧化铟锡薄膜以及上层——硅纳米颗粒阵列的全光开关。通过复合结构的设计采用，以增强局部电场使非线性响应更强。并且，通过对硅纳米颗粒阵列的结构参数的改变，可以调谐共振波长的位置。此外，本发明的全光开关由于利用硅纳米颗粒阵列代替了传统的贵金属纳米颗粒阵列，避免了贵金属的欧姆损耗，且与CMOS技术兼容，因此器件成本低，响应速度快，低功耗等优点，在光纤通信、光学滤波等领域具有重要的应用前景。