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专利名称一种光波导及其制造方法
申请日2019-06-17
申请号/专利号CN201910520049.2
专利权人中国科学院微电子研究所
申请人中国科学院微电子研究所
发明人/设计人许庆;周章渝;李志华
公告日2019-10-11
公告号CN110320600A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种光波导的制造方法,包括:(a)在半导体衬底上形成包覆层;(b)刻蚀所述包覆层,形成芯层槽;(c)依次沉积芯层和牺牲层;(d)进行表面平坦化;(e)去除牺牲层;(f)重复步骤(c)至(e),直至芯层槽被芯层填满;(g)进行表现平坦化,得到波导芯。本发明还提供一种光波导,包括:半导体衬底;包裹层,位于所述半导体衬底上,所述包裹层刻蚀有芯层槽;芯层,填充满所述芯层槽。采用本方案,最终可以得到厚度远远超出临界厚度的高质量氮化硅条形波导。
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