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专利名称导电沟道材料的制备方法及薄膜晶体管
申请日2019-06-17
申请号/专利号CN201910522741.9
专利权人武汉华星光电技术有限公司
申请人武汉华星光电技术有限公司
发明人/设计人罗成志
公告日2019-10-15
公告号CN110335806A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

在本申请所提供的导电沟道材料的制备方法及薄膜晶体管中,通过在金属基底的表面制取碳纳米纤维,对所述碳纳米纤维进行烧结处理,以形成纤维状金刚石,将所述纤维状金刚石放入溶剂中进行超声处理,以得到金刚石悬浮液,将所述金刚石悬浮液涂覆衬底上,形成金刚石沟道层的制备方法制取一种既具有优良的半导体特性、又具有光学透明特性的材料做薄膜晶体管的导电沟道材料,可以解决现有的在提高薄膜晶体管液晶显示器的分辨率的前提下保证薄膜晶体管液晶显示器的开口率的技术问题。
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