本发明公开了一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。中子探测器硼膜阴极，是一种具有良好电学性能和中子灵敏性能的探测器阴极。阴极采用导电金属Al基体，阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括：100份硼粉、15?25份7?12份固化剂和30?40份有机溶剂，所述份数为质量份数。本发明一种中子探测器硼膜阴极，制备简单、成本低廉，附着力高、均匀性好，所得探测器的探测效率高。