本发明公开了一种光波导的制造方法，包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层，芯层以及牺牲层；刻蚀所述牺牲层和所述芯层，形成包层槽；向所述包层槽填充绝缘介质材料，并进行表面平坦化，形成第二包覆层；去除所述牺牲层，形成芯层槽；生长所述芯层，填充满所述芯层槽并进行表面平坦化；在所述芯层和所述第二包覆层上方形成第三包覆层。该方案通过调节牺牲层的厚度可以实现对氮化硅光波导厚度的调节，满足不同的设计需要，更加的方便灵活。