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专利名称一种基于反应离子刻蚀的薄膜微光学结构的制备方法
申请日2019-05-21
申请号/专利号CN201910424010.0
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人/设计人程亚;张建皓;伍荣波;乔玲玲;林锦添
公告日2019-09-06
公告号CN110208906A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于反应离子刻蚀的薄膜微光学结构的制备方法,将飞秒激光加工技术、反应离子刻蚀与化学机械抛光技术相结合,使得片上大尺寸高品质微光学器件的制备和大规模集成为可能。制备方法主要包括在薄膜表面镀金属层、飞秒激光选择性烧蚀金属膜或光刻选择性去除金属膜、化学机械抛光、电感耦合等离子体刻蚀等。本发明方法制备的片上微光学器件具有极高的表面光洁度,极低的光学损耗。该方法适用于在各种片上薄膜(包含但不限于铌酸锂单晶薄膜、石英薄膜、硅薄膜、二氧化硅薄膜、金刚石薄膜等)上制备高品质的微光学结构(包含但不限于微盘腔、微环腔、光波导及其耦合器件)。
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