本发明提供了一种平面光波导芯片的制作方法，包括以下步骤：在衬底层上形成第一包覆层；在第一包覆层上形成至少一层芯层，形成一层芯层的步骤包括：在第一包覆层上形成平面光波导光路；经多次沉积形成包覆平面光波导光路的第三包覆层，每次沉积形成一层第一沉积层，每层第一沉积层形成后均采用热氧化工艺进行处理；在最后形成的芯层上制作第二包覆层，完成平面光波导芯片的制作。上述方法制作第三包覆层时采用多层沉积包覆方法，每次沉积形成第一沉积层后，采用热氧化工艺对其进行处理，扩大了硼磷硅玻璃工艺中硼烷和磷烷的掺杂浓度范围，提高了芯片成品率；热氧化工艺使相邻第一沉积层之间产生缓冲作用，使包覆层在高温条件下更加稳定。