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专利名称一种抑制光学相控阵远场边瓣强度的结构
申请日2019-03-07
申请号/专利号CN201910175097.2
专利权人中国科学院半导体研究所
申请人中国科学院半导体研究所
发明人/设计人郑婉华;周旭彦;陈忠浩
公告日2019-05-31
公告号CN109828420A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种抑制光学相控阵远场边瓣强度的结构,包括:光波导阵列(1)包括多根波导;抑制结构(2)包括第一相位调制区(21)、耦合区(22)以及第二相位调制区(23),其中,第一相位调制区(21)以及第二相位调制区(23)均包括多根波导,耦合区(22)为块状结构,第一相位调制区(21)以及第二相位调制区(23)的多根波导的一端均垂直设于耦合区(22)的两端,第一相位调制区(21)的多根波的另一端与光波导阵列(1)的多根波导的一端连接;叠层结构(3),光波导阵列(1)和抑制结构(2)并列设于叠层结构(3)的上表面。通过该结构实现对输出光的强度和相位的调控,从而实现抑制远场边瓣强度的目的。
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