一种超薄单晶锗片的加工方法，其特征是它包括以下步骤：首先，利用线切割设备从单晶锗棒上切割得到厚度不超过0.5毫米的单晶锗片；其次，将单晶锗片装夹到低温抛光机上；第三，先采用粒度为10～28μm的金刚石、刚玉、碳化硅、碳化硼等莫氏硬度大于9的硬质磨料冰冻固结磨料抛光盘作为粗加工用抛光头，采用无水有机溶剂作为抛光液；第四，改用粒度0.06～2μm的CeO2、氧化硅等莫氏硬度小于9的磨料冰冻固结磨料抛光盘作为精加工用抛光头进行二次抛光加工，控制抛光温度在-30～-10℃，抛光压力控制在100～500g/cm2，抛光液为无水有机溶剂，流速为50～500ml/min，抛光转速为10～300r/min，最后得到厚度不超过0.15mm的超薄锗片。本发明方法简单，成品率高。