本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可解决有源层的制备工序繁琐的问题。在衬底上形成有源层包括：在衬底上形成半导体图案，半导体图案包括沟道区；在半导体图案上形成阻挡层；以第一角度对半导体图案进行第一次离子注入，在沟道区的第一侧和第二侧分别形成第一掺杂区；以第二角度对半导体图案进行第二次离子注入，在沟道区的第一侧形成第二掺杂区；以第三角度对半导体图案进行第二次离子注入，在沟道区的第二侧形成第二掺杂区；第一次离子注入的离子浓度大于第二次离子注入的离子浓度，第一角度、第二角度和第三角度均为离子束与衬底的夹角，第二角度和第三角度均小于第一角度。