一种基于电压控制的磁存储器，该磁存储器的MTJ结构基于垂直磁各向异性即PMA，在经典MTJ结构即自由层、参考层和隧道势垒层的三层结构基础上，添加了一层隧穿势垒层；该磁存储器的MTJ结构从下到上由底电极，反铁磁金属混合层，铁磁金属一，氧化物一，铁磁金属二，氧化物二及顶电极共七层构成。本发明具有稳定的非易失性、高读写速度和无限读写次数等特点，由于其基于电压控制改变储存单元的磁化状态，改变存储单元的状态所需的电流较低，在保持高读写速度的同时，实现了低功耗以及高的功耗利用率。