一种高可靠性、亦可多比特存储的双功能存储单元，该存储单元由复数个MTJ串联堆积形成一个MTJ簇之后再与一个NMOS晶体管串联组成，称为l竹MTJ上T结构；其中MTJ簇用于存储数据信息，而NMOS晶体管用于对存储单元进行访问控制；MTJ簇的顶端连接位线即BL，底端连接NMOS晶体管的漏极，NMOS晶体管的栅极连接字线即WL，源极连接源极线即SL。本发明提供两种不同的工作模式，即高可靠性模式HR-Mode与多比特存储模式MLC-Mode，为新型存储系统提供了一种相对灵活的设计方案，使其可以根据实际应用的不同性能需求，合理配置存储单元的工作模式，以满足用户的不同需求。