本发明提供一种薄膜晶体管，包括：依序层迭设置的一半导体衬底、一栅电极、一闸极绝缘层、一第一非晶硅膜层、一第二非晶硅膜层、一金属膜层、一钝化层、一透明导电膜，半导体衬底，包括一非电性成膜区与一电性成膜区，对应于所述非电性成膜区的所述第一非晶硅膜层一厚度小于对应于所述电性成膜区的所述第一非晶硅膜层一厚度，使非电性成膜区可作为电性成膜区利用，提升非电性成膜区的电性均匀度，来提升整个面板的电性的均匀性，减小非电性成膜区域的大小，进而提升玻璃基板的利用率。还提供所述薄膜晶体管的制作方法。