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专利名称像素电极
申请日2019-02-12
申请号/专利号CN201910111193.0
专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
发明人/设计人曹武
公告日2019-04-26
公告号CN109683406A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种像素电极,包括第一像素电极和多个第二像素电极,所述第二像素电极包括第一子支部和第二子支部,所述第二子支部的一端与所述第一像素电极连接,相对的另一端与所述第一子支部连接,所第一子支部的第一宽度与所述第二子支部的第二宽度不相同。通过在像素电极的主干部与支部的交界处改变支部的宽度,可以有效控制暗纹,提高液晶效率和液晶显示面板的穿透率。
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