本发明公开了一种六方相硒化铟晶体及其在二阶非线性光学上的应用，化学式为In2Se3，分子量为466.52，其单晶属于六方晶系，空间群为P65，晶胞参数为：a=b=7.1231(3)Å,c=19.393(2)Å,α=β=90°，γ=120°,V=852.12(10)Å3,Z=6。通过高温固相法获得In2Se3晶体，硒化铟晶体展现出了优异的非线性光学性能，In2Se3晶体粉末呈现较大的倍频效应，约为AgGaS2的1.5倍，且在2100nm激光下可实现相位匹配；其抗激光损伤阈值为AgGaS2的7.3倍，可应用在中远红外波段的探测器和激光器的重要器件。