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专利名称一种长工作距离的等离激元纳米光刻方法
申请日2019-01-29
申请号/专利号CN201910084730.7
专利权人中国科学技术大学
申请人中国科学技术大学
发明人/设计人王亮;秦金;罗慧雯
公告日2019-10-08
公告号CN110308616A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供了一种长工作距离的等离激元纳米光刻方法,包括:A)制备领结光刻头部;B)制备曝光衬底;C)将领结光刻头部与曝光衬底紧密接触,即为领结光刻头部的第一银膜层与曝光衬底的光刻胶层紧密接触;D)将采用激光光源,经起偏器和物镜调整获得与领结型孔径尖角平行的曝光光场,经曝光、显影得到纳米结构。与现有技术相比,本发明通过在铝质掩膜中涉及领结型结构,可以实现对光场的局域、增强,以获得更高的分辨率;通过银层与PMMA层折射率匹配,可以提升表面等离激元激发效率,延长曝光距离;通过银层‑光刻胶层‑银层组成金属‑介质‑金属结构,能够实现焦深调制,延长曝光深度。
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