一种基于低频噪声分类的光耦贮存寿命评价方法，其步骤如下：一、根据光耦的内部结构搭建低频噪声适配器；二、测量光耦初始的低频噪声；三、根据低频噪声对样本进行分类；四、确定加速寿命试验的温度并将样本分类进行加速寿命试验；五、确定退化趋势的函数；六、通过高温贮存下的结果，外推常温下光耦的贮存寿命。该发明将统一批次的光耦分级并分别进行寿命评价，提供了一种在加速寿命试验之前就可以对其寿命进行排序分类的思路，对目前在半导体电路贮存寿命评价方面的研究开辟了有效的途径，有效的将寿命相近的光耦分为一类，从而提高了光耦寿命评价的精度。