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专利名称光子集成芯片内矢量涡旋光束辐射器及其应用
申请日2019-01-23
申请号/专利号CN201910061406.3
专利权人上海交通大学
申请人上海交通大学
发明人/设计人金贤敏;陈媛;沈维冠
公告日2019-04-26
公告号CN109683239A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种光子集成芯片内部矢量涡旋光束辐射器及其应用,通过飞秒激光直写技术,即将飞秒激光聚焦在玻璃表面以下,通过扫描能够传输矢量涡旋光的环形波导半径,使之与单模波导达到位相匹配条件,加工出的不对称耦合器用于产生多阶涡旋光模式。本发明制备得到的芯片,能够产生一阶以及二阶涡旋光,转换效率可高达74%。此外,涡旋光本身的高维度及传输、产生以及操控于一体将大幅增加量子态空间,从而潜在的可以通过片上操控超纠缠等方式大幅提升量子计算能力。
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