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专利名称一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器
申请日2019-01-15
申请号/专利号CN201910035610.8
专利权人桂林电子科技大学
申请人桂林电子科技大学
发明人/设计人伍铁生;王学玉;张慧仙;王宜颖;曹卫平
公告日2019-04-12
公告号CN109613635A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种金属纳米环柱阵列结构的新型超窄带吸波器,解决的是品质因数差的技术问题,通过采用所述基于表面晶格共振的超窄带吸收体是由纳米环柱阵列组成的;所述的纳米阵列单元从下往上依次设置为介质层基底、金属薄膜反射层及谐振器;所述的纳米阵列单元反射层薄膜金的厚度大于入射电磁波在贵金属金的趋肤深度的技术方案;所述的纳米阵列单元采用双环柱结构压缩了吸波体的吸收频谱的半峰全宽,较好地解决了传统吸波体吸收效率低,吸收半峰全宽大,品质因数低等问题,可用于窄带热辐射器,等离子体生物传感器的应用中。
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