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专利名称一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置
申请日2019-01-14
申请号/专利号CN201910031825.2
专利权人北京工业大学
申请人北京工业大学
发明人/设计人李强;张磊;雷訇;惠勇凌;姜梦华
公告日2019-04-16
公告号CN109638649A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种高功率半导体叠阵空间合束的方法及装置,采用填充二极管阵列之间的发光空隙,对单个半导体叠阵进行空间合束,因此将半导体叠阵发光区域总体分为上下两部分。将b个半导体阵列中的x个和y个,由y个阵列激光直接通过条纹镜透射区透射,而由x个阵列对应的激光通过条纹镜和反射镜反射后,再次透过条纹镜最下方透射区透射,与y个阵列产生的激光进行位置交换,并整体向下偏移,而a个阵列产生的激光通过反射镜和条纹镜反射区反射后,穿插在透射光间隔之中。通过移动阵列的个数,可增加条纹镜厚度,而空间合束的激光功率密度可成倍提高,对条纹镜的厚度无限制。本方法克服了半导体叠阵数量及功率的限制,从而实现高功率合束。
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