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专利名称纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法
申请日2019-01-14
申请号/专利号CN201910032180.4
专利权人京东方科技集团股份有限公司
申请人京东方科技集团股份有限公司
发明人/设计人贺芳;尹东升;顾仁权;何伟;徐胜;吴慧利;李士佩;黎午升;姚琪
公告日2019-03-29
公告号CN109541885A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法,属于显示技术领域,纳米图案的拼接方法包括:在形成有第一膜层的衬底基板上形成第一光刻胶层,对第一光刻胶层进行构图,形成对应衬底基板上的待图案化区域的光刻胶去除区和对应衬底基板上的其他区域的光刻胶保留区;减薄第一光刻胶层上的光刻胶保留区中的光刻胶;在衬底基板上形成具有压印图案的压印胶层,压印胶层覆盖光刻胶去除区和与光刻胶去除区邻接的部分光刻胶保留区;以压印图案为掩膜,对光刻胶去除区的第一膜层进行刻蚀,形成第一纳米图案;重复执行上述步骤,形成拼接的第一纳米图案。本发明通过减薄第一光刻胶层上的光刻胶,降低了待图案化区域边界处的段差。
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