本方法公开了一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构及其制备方法，从下到上包括硅衬底层、第二氧化硅层、第三氧化硅层、第四氧化硅层和铌酸锂薄膜层，其中第三氧化硅层中间包括被刻蚀的氮化硅波导层，并且氮化硅波导层的厚度与第三氧化硅层厚度一致，第四氧化硅层的厚度为10～100nm；本发明的一种高集成度铌酸锂/氮化硅光波导集成结构中，氮化硅光波导和铌酸锂薄膜之间存在数十纳米的氧化硅层，该层氧化硅厚度可控，厚度偏差小，表面平整，均匀性好，在制备成器件后光信号能在铌酸锂和氮化硅之间得到很好的耦合，使得制备的器件带宽宽、损耗低，器件一致性好。