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专利名称一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片
申请日2019-01-10
申请号/专利号CN201910023555.0
专利权人上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所
申请人上海理工大学;中国电子科技集团公司第二十七研究所
发明人/设计人冯吉军;仲路铭;张福领;曾和平
公告日2019-04-05
公告号CN109581586A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提出了一种结构紧凑型氮化硅波分复用光子芯片,包括硅衬底和依次在硅衬底上制作的二氧化硅缓冲层和氮化硅芯层;芯层上设有上输出端口和下输出端口;波长633纳米和波长1310纳米的TE偏振光,分别从下输出端口和上输出端口输出以实现波长分束。本发明针对波长633纳米可见光和波长1310纳米近红外的TE偏振光,提供一种高消光比的波分复用器件。该器件可将上述的两波长偏振光,分别从上下两个端口输出,且消光比均大于25dB,插入损耗小于1dB。
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