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专利名称高穿透性液晶显示面板制造方法及其显示面板
申请日2018-12-29
申请号/专利号CN201811640748.2
专利权人武汉华星光电技术有限公司
申请人武汉华星光电技术有限公司
发明人/设计人艾飞;陆鹏;罗成志
公告日2019-04-30
公告号CN109696759A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开一种高穿透性液晶显示面板制造方法,包括:折射率渐变层形成步骤、栅极绝缘层形成步骤、第一层间绝缘层形成步骤以及第二层间绝缘层形成步骤。所述折射率渐变层形成步骤包括沉积氮化硅层到玻璃基板上,接着沉积折射率渐变层到所述氮化硅层上,其中所述折射率渐变层以氧化硅制造,且所述折射率渐变层包括下折射率递减层以及下折射率恒定层,所述下折射率递减层的折射率是沿着远离所述氮化硅层的方向而逐渐递减,所述下折射率恒定层是沉积在所述下折射率递减层上。本发明可降低光在多膜层间的反射率,从而提升显示面板的透光性。
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